688048长光华芯入股中久大光，布局特殊科研领域

　　长光华芯(688048)：入股中久大光特殊科研有望加速
　　类别：公司机构：华泰证券股份有限公司研究员：余熠/黄乐平日期：2023-06-07
　　战略投资中久大光，看好公司光芯片平台布局长期发展前景
　　长光华芯通过全资子公司投资中久大光，持股比例1%，并于5 月29 日完成工商变更。中久大光在特种光纤激光领域中技术与商业化能力领先，我们认为公司本次战略入股有望助力特殊科研领域业务突破放量。此外，公司于5 月举行的光博会上发布单波100Gbps (56G PAM4 EML) 光通信芯片，有望全面横向拓展高端光通信芯片市场。考虑到下游需求波动以及新厂交付折旧费用提升，我们下调23-25 年归母净利润预测至1.56/3.17/4.38 亿元（前值：2.04/3.43/4.58 亿元）。由于采用2024 年可比估值能更好反映公司特殊科研领域和高端光通信芯片业务成长性，同时考虑到公司在高功率激光芯片领域的龙头地位，给予公司24 年PE 56.8x（据Wind 一致预期，24 年可比公司平均PE 为50.3x）维持目标价132.24 元和“买入”评级。
　　战略入股四川中久大光，特殊科研领域业务绑定客户有望加速起量
　　根据天眼查，公司通过全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司认缴出资15.2 万元入股中久大光，持股比例1%，于5 月29 日完成工商变更。中久大光是中国久远和中国工程物理研究院激光聚变研究中心（九院八所）的成果转化和产业化依托平台，承担多项国家重大专项，主要业务包括光纤激光设备、光纤激光器、光纤器件等，在特种光纤设计制备领域亦有布局。公司高功率激光芯片从传统工业领域向特殊科研领域拓展，中久大光处于其业务下游，我们认为公司战略入股后，特殊科研业务或加速放量。
　　光通信芯片成长空间大，新品推出打开高端市场
　　全球高端光芯片基本被国外厂商垄断，国产替代空间较大，叠加下游高性能计算等需求拉动，成长空间广阔。公司光通信芯片新品持续迭代，据官网信息，公司已推出10G APD 和L 波段高功率EML 两款芯片，目前两款产品与客户验证顺利；同时在23 年5 月光博会上推出单波100Gbps (56G PAM4EML)光通信芯片，达到使用4 颗芯片实现400G 传输速率，或8 颗芯片实现800G 传输速率的应用目标，为当前400G/800G 超算数据中心互连光模块的核心器件，我们认为该新品将助力打开光通信芯片高端市场。
　　工业激光器市场需求有望逐季复苏，带动公司业绩逐季回暖
　　受宏观经济波动等因素影响，国内高功率激光芯片行业需求短期承压，但公司作为国内高功率激光芯片龙头厂商，我们看好公司长期前景。展望23 全年，新厂落地推动产能释放，我们认为公司有望持续提升单管芯片等市场份额。我们认为随着国内光纤激光器行业需求逐步复苏，及公司特殊科研领域业务有望于23 年迎来放量元年，公司业绩或逐季回暖，看好长期成长潜力。
　　风险提示：下游需求恢复不及预期；公司产品价格出现大幅下滑。

　　长光华芯(688048)：战略投资中久大光长远布局特殊科研领域
　　类别：公司机构：民生证券股份有限公司研究员：方竞日期：2023-06-05
　　事件：根据天眼查信息，长光华芯全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司通过公开增资的方式对中久大光进行投资，5 月29 日完成增资工商变更，投资持股比例1%。
　　公司和中久大光战略合作，特殊科研领域长远布局。中久大光作为九院八所及中国久远激光技术成果转化和产业化的依托平台，公司主要经营业务为：光纤激光设备、光纤激光器等产品的研发、生产、销售，提供安防科研和高端加工应用激光光源和解决方案。长光华芯与特殊科研领域行业龙头中久大光达成深度战略合作关系，意味着未来双方有望联合布局，拓展自身在特殊科研领域的研发和制造的能力。
　　56G PAM4 EML 芯片发布，进军高端光通信市场。公司最早于2010 年开始布局InP 激光芯片，建立的InP 平台、产线，届时已具备2.5GFP 量产能力。
　　2020 年，公司开始研发10GAPD 和L 波段高功率EML 芯片。目前两款产品已与下游客户进行验证，验证顺利。公司于5 月18 日发布单波100Gbps（56Gbaud 四电平脉冲幅度调制（PAM4））电吸收调制器激光二极管（EML）芯片，支持四个波长的粗波分复用（CWDM），达到了使用4 颗芯片实现400Gbps 传输速率，或8 颗芯片实现800Gbps 传输速率目标。此次56G PAM4 EML 芯片的发布，意味着公司进入光芯片高端市场，开启广阔增长空间。
　　IDM 厂商横纵向扩张，长期看竞争优势显著。激光器芯片核心在制造和工艺上，其中设计占价值量20%，生产制造占80%。公司作为IDM 厂商已建成3+6 吋激光芯片量产线，具备晶圆工艺、化合物半导体材料生长和芯片层面的激光光学加工三层工艺，掌握外延生长技术、FAB 晶圆工艺、腔面钝化技术、高亮度合束（光学耦合技术）四大核心技术。其中关键工艺相关的设备自己设计制造，与工艺高度绑定。凭借IDM 技术优势，公司一方面更好地理解客户需求，使生产更具弹性，生产效率更高；另一方面，IDM 模式利于公司在下游客户的引领下完成产品和技术的快速迭代。此外，公司基于GaAs 材料体系向InP 和GaN 延伸，丰富产品结构，战略布局光通讯EML、激光雷达VCSEL、可见光激光（蓝、绿光）等产品。
　　投资建议：考虑到公司在光通信和特殊科研领域的横向扩张，预计公司23-25 年归母净利润为1.70/3.27/4.73 亿元，对应现价PE 为77/40/28 倍，公司为激光芯片国产化龙头，且不断开拓下游应用领域，维持“推荐”评级。
　　风险提示：下游工业芯片需求波动，客户验证不及预期。